金融界2025年7月1日消息，国家知识产权局信息显示，湘潭大学;深圳市中天明晟科技有限公司申请一项名为“一种在附着硅上沉积具有高储能密度的铪锆氧薄膜材料的制备方法及应用”的专利，公开号CN120231005A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明涉及新型微电子材料的开发、介电膜材料的制备以及原型介电器件技术领域，具体公开了一种在附着硅上沉积具有高储能密度的铪锆氧薄膜材料的制备方法及应用，采用半导体单晶硅片作为衬底，通过射频磁控溅射方法在衬底表面由下至上依次溅射沉积底电极、介电膜层、顶电极，其中，底电极为掺铝氧化锌薄膜、介电膜层为铪锆氧铁电薄膜、顶电极为金上电极薄层。本发明包括步骤：S1、对衬底进行处理；S2、在衬底表面沉积底电极层；S3、在底电极层上沉积介电膜层；S4、在介电膜层上沉积顶电极；S5、进行介电测试。本发明中的膜材料可在中低温度下直接沉积在硅衬底上，制备的介电薄膜材料无铅环保、组分简单、原料易获取，适用于工业化推广及应用。

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